新型高性能电介质材料

电介质是一种在外电场作用下会产生极化现象的绝缘物质。利用这一极化性质可以制作电阻变化型记忆存储元件（ReRAM，Resistance Random Access Memory）。

根据日本物质和材料研究机构2016年9月9日发布的消息，以日本东京大学为首的一个研究团队成功开发出了一种以氧化铪基为主要薄膜成分的强电介质材料。这一研究成果已发表于同一天的《Scientific Reports》杂志上。

研究团队以氧化铪代替较通用的电介质材料氧化钇，同时对其单晶薄膜成果过程进行精细控制，制成了厚度仅为15纳米的新型强电介质单晶薄膜。他们还成功实现了该结晶膜在金属氧化物电极上的制作。实测该材料能在400℃以上稳定工作，其性能丝毫不亚于同类主流电介质材料。

研究团队正致力于将该材料应用于记忆元件的实际生产。（日本物质和材料研究机构）

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